Eesha Khare, nữ sinh 18 tuổi học tại trường trung học Lynbrook ở Saratoga, bang California, đã dành được hạng nhì trong giải thưởng Khoa học, kỹ thuật quốc tế do Intel tổ chức (ISEF) diễn ra tại thành phố Phoenix, Arizona, hồi tuần trước.
Dự án của Khare đang nghiên cứu về một loại "siêu tụ" - là một thiết bị nhỏ có thể giúp pin điện thoại được sạc đầy trong vòng 20 đến 30 giây và tuổi thọ lên đến 10.000 vòng sạc, cao gấp 10 lần so với công nghệ hiện nay. Được biết, Google đã liên hệ với cô gái này để bày tỏ mối quan tâm đến công nghệ siêu tụ nói trên, theo một báo cáo từ CBS.
Khi được hỏi đến, tại sao cô lại phát triển “siêu tụ”, Khare nói với kênh truyền hình NBC News, Mỹ, rằng: "Pin điện thoại di động luôn luôn chết".
Các siêu tụ nắm giữ rất nhiều năng lượng trong một thể tích nhỏ, Khare giải thích, và nó còn có thể được ứng dụng trên những sản phẩm có tính phức tạp cao như xe điện, hệ thống LED, thậm chí là cả trong quá trình gia công và chế tạo màn hình dẻo trong tương lai. Giải pháp của Khare còn ở thể đặc, tức là thiết bị sẽ không bị chảy do độ nóng tăng cao như hiện nay, nên rất thân thiện với môi trường cũng như sức khỏe người dùng.
Khare nhận được 50.000 USD tiền thưởng từ ISEF và nó sẽ giúp cô trang trải việc học tại Đại học Harvard danh tiếng, cũng như tiếp tục quá trình nghiên cứu của mình trong mùa thu này.
